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Ag,2+δTe薄膜的低温纵向磁电阻
Ag,2+δTe薄膜的低温纵向磁电阻
来源 :第十届全国磁学和磁性材料会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qilina15832583026
【摘 要】
:
用蒸镀法制备的Ag-Te多层膜,通过热处理得到了非磁性的Ag-Te薄膜。其在低温下有很大的负纵向磁电阻。在Ag-Te薄膜中出现电阻率和磁电阻的多重峰现象。这与Ag的掺杂浓度 δ和测
【作 者】
:
梁冰青
王荫君
陈熹
【机 构】
:
中国科学院物理研究所凝聚态物理中心磁学国家重点实验室
【出 处】
:
第十届全国磁学和磁性材料会议
【发表日期】
:
1999年8期
【关键词】
:
AgTeTe的知识脉络'>
低温纵向磁电阻
银掺杂
非磁性薄膜
电阻率
磁电阻
多重峰现象
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用蒸镀法制备的Ag-Te多层膜,通过热处理得到了非磁性的Ag<,2+δ>-Te薄膜。其在低温下有很大的负纵向磁电阻。在Ag<,2.1>-Te薄膜中出现电阻率和磁电阻的多重峰现象。这与Ag的掺杂浓度 δ和测量温度有很大的关系,并用掺杂的能带理论很好地解释了出现的多重峰现象。
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