【摘 要】
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Silicon and GaN are rather radiation hard materials and are widely used for producing different radiation detectors and optoelectronic devices.As these devices are used or are promising for applicatio
【机 构】
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New Materials Research and Measurement Technology Department Institute of Applied Research,Vilnius U
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Silicon and GaN are rather radiation hard materials and are widely used for producing different radiation detectors and optoelectronic devices.As these devices are used or are promising for applications in ionizing radiation environment (high energy physics, space research), an investigation of radiation induced defects is important.
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单纤光纤激光输出功率最终会受到非线性效应、热效应和端面损伤等限制,被动相干合成技术能克服这些限制,实现更高功率输出同时保证良好光束质量的技术.我们基于达曼光栅并利用全光反馈系统实现了多路光纤激光被动相干合成,并研究和探讨了该技术中合成效率提高的相关因素.
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在高平均功率或高峰值功率的掺镱双包层光纤激光激光器或放大器中,非线性效应严重影响了激光输出特性,已经成为必须要关注的问题.本文利用种子注入主振荡功率放大技术(MOPA),采用中心波长1064nm,光谱线宽0.05nm,FBG光纤激光器做种子源(尾纤输出功率约60 mW),通过三级级联放大,实现1750W高功率近衍射极限单模激光连续输出.主放光-光效率达到80.6％,斜率效率为86.0％.实验中未观
掺铬六氟铝锶锂(Cr3+:LiSrAlF6,简记为Cr:LiSAF)是近红外波段可调谐激光晶体,具有荧光谱线宽(750～1050 nm),吸收谱线宽(250～350nm、400～500nm、600～800nm),上能级荧光寿命长(67 μs),发射截面较大(4.8×10-20cm2),热透镜效应小,掺杂浓度高等优点.Cr:LiSAF激光器在飞秒光源,大气差分吸收雷达,水下通信与探测等方便有着广阔的
本文利用激光表面快凝技术,在纯钛表面制备出非晶纳米晶复合涂层.并且,利用有限元方法对激光熔覆过程中的温度场进行了模拟,分析了激光扫描速率对温度场的影响,并结合实验研究了激光扫描速率对温度场的影响.研究结果表明:激光辐照工艺参数决定了试样表面峰值温度以及温度梯度的分布,激光熔覆过程中熔池中心温度与激光扫描速度成反比关系.模拟结果与实验结果基本吻合.
光子晶体光纤由于其独特的光学特性和灵活的设计为新一代光电子器件的发展提供了一个崭新的平台,成为近几年来的研究热点之一.光子晶体的后处理技术是通过一些特殊的工具改变光纤结构参数从而实现光子晶体光纤潜在应用价值的重要技术手段,主要包括拉锥、膨胀后拉锥以及选择性空气孔塌缩等,利用后处理技术可以制作许多光子晶体光纤特有的光器件.本文主要介绍了实现光子晶体光纤各种后处理技术的过程,包括拉锥、膨胀后拉锥以及选
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