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本文采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线列器件,光谱响应范围为0.90～1.70 μm,量子效率为73％,在零偏压下,暗电流为1.62×10-8 A,动态零压电阻为2.72×105 Ω.单元探测器波段探测率为1.71×1012 cmHz1/2W-1.