【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法,在氩气、氧气和氮气的氛围下在P型重掺杂的硅基片上研制了非晶掺氮氧化铟锌沟道层及其薄膜晶体管(a-IZO：N-TFTs)器件,探讨了氮气对a-IZO-TFTs性能和
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采用射频磁控溅射方法,在氩气、氧气和氮气的氛围下在P型重掺杂的硅基片上研制了非晶掺氮氧化铟锌沟道层及其薄膜晶体管(a-IZO：N-TFTs)器件,探讨了氮气对a-IZO-TFTs性能和电学稳定性的影响.研究发现,当沉积过程中的氮气流量增加时,a-IZO-TFT的阈值电压Vth不断增加,说明氮气掺杂有效抑制了器件的载流子浓度.5400秒的PGBS测试发现,通入4 SCCM氮气能使Vth的偏移从3.77V下降到0.72V,表明合适的氮气掺杂量提高了器件的电学稳定性.
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