【摘 要】
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在计算机硬盘生产中,在保证表面质量的条件下,提高化学机械抛光(CMP)的去除量非常关键,因此,研究生产可使用工艺参数范围内适用的CMP去除机理相当重要。本文利用摩擦模拟实验机,分别对速度、正压力以及抛光液PH值对盘基片抛光去除量的影响进行了实验研究,结果表明,可用结合控制步骤理论的Preston方程描述硬盘盘基片抛光生产中的去除量。
【机 构】
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深圳开发磁记录有限公司,深圳,518035 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084
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在计算机硬盘生产中,在保证表面质量的条件下,提高化学机械抛光(CMP)的去除量非常关键,因此,研究生产可使用工艺参数范围内适用的CMP去除机理相当重要。本文利用摩擦模拟实验机,分别对速度、正压力以及抛光液PH值对盘基片抛光去除量的影响进行了实验研究,结果表明,可用结合控制步骤理论的Preston方程描述硬盘盘基片抛光生产中的去除量。
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