蓝、绿光双波长InGaN/GaN多量子阱光致发光的特性研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meyxiao

【摘要】

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通过调节In 组分,可使InGaN 合金的的发光波长覆盖紫外至红外的整个光谱范围,是制作高亮度发光二极管(LED)和连续激光二极管(LD)的重要半导体材料1.然而,In 组分的变化会使InGaN层出现势起伏并对样品的生长质量产生影响.为了研究In 组分影响InGaN 发光特性的内部物理机制,本研究通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石(Al2O3)衬底的(0001)面上生长了双In组分

【作者】

：

李长富冀子武

【机构】

：

山东大学微电子学院,济南 250100

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

双波长 InGaN/GaN多量子阱光致发光

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