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Electrical Field and Electron-Hole Doping Control of Edge Spin States in Narrow Zigzag Silicon Carbo
【机 构】
:
DepartmentofPhysics,AnhuiUniversity,Hefei230039,AnhuiChina;DepartmentofChemistry,SungkyunkwanUnivers
【出 处】
:
中国科学院第六届海峡两岸及国际量子调控会议
【发表日期】
:
2010年12期
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要有敢于尝试的勇气,要学会反其道而行之,突破常规。不要一味的去对抗自然,要学会转化自然的力量,懂得了这一点,你将拥有更丰富的创新思维。从问题入手,大胆想象,另类构思,不拘一