【摘 要】
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人们对掺杂半导体纳米晶的发光性质及其在发光显示器、传感器等方向上的应用进行了广泛研究[1]。由于利用传统的掺杂方法在水相合成Mn掺杂CdS纳米晶[2]，无法准确控制Mn离子在纳米晶中的位置和浓度，所获得的纳米晶的发光效率低。直到2005年，彭笑刚研究小组首次报道了利用成核掺杂方法合了稳定性好、发光效率达50％以上的ZnSe：Mn量子点[3]，因此人们期待着利用这种新方法通过控制Mn离子的位置来合成
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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人们对掺杂半导体纳米晶的发光性质及其在发光显示器、传感器等方向上的应用进行了广泛研究[1]。由于利用传统的掺杂方法在水相合成Mn掺杂CdS纳米晶[2]，无法准确控制Mn离子在纳米晶中的位置和浓度，所获得的纳米晶的发光效率低。直到2005年，彭笑刚研究小组首次报道了利用成核掺杂方法合了稳定性好、发光效率达50％以上的ZnSe：Mn量子点[3]，因此人们期待着利用这种新方法通过控制Mn离子的位置来合成高质量的ZnS表面钝化的CdS：Mn纳米晶。
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