氧化石墨烯空缺结构稳定性的第一性原理研究

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通过第一原理计算,根据氢化学势()和氧化学势()构建了氧化石墨烯的第一原理相图,并分析了不同结构和组成的氧化石墨烯的热力学稳定性。由相图得知,对于完全氧化石墨烯和不完全氧化石墨烯,生成空缺都是放热过程,并且由sp3杂化的C原子生成CO2而形成的单空缺最为稳定。单空缺结构中空缺位置C原子上的悬挂键被氧桥。单空缺进一步生长成双空缺同样是放热过程,但是O和OH在氧化石墨烯上扩散能垒很高,限制了这些反应物中的进一步扩散,从而抑制了双空缺在贫氧条件下的继续生长。
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