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本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.
PECVD SiON淀积工艺实验研究
【摘 要】
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本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.
【机 构】
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北京清华园清华大学微电子学研究所
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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