【摘 要】
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2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第四十七研究所三家单位联合协作在国内首次开展了针对2k SRAM的重离子微束单粒子效应研究,取得了初步的实验结果,实验结果表明:截止NMOS和PMOS的漏区是SEU的敏感区域,但敏感度不同,截止NMOS漏区是单粒子翻转最敏感的区域.当存贮状态发生改变时,敏感区域发生改变,但敏感区基本呈对称结构.SRAM重离子微束实
【机 构】
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西北核技术研究所,陕西西安,710024 中国原子能科学研究院物理研究所,北京,102413
【出 处】
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第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会
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2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第四十七研究所三家单位联合协作在国内首次开展了针对2k SRAM的重离子微束单粒子效应研究,取得了初步的实验结果,实验结果表明:截止NMOS和PMOS的漏区是SEU的敏感区域,但敏感度不同,截止NMOS漏区是单粒子翻转最敏感的区域.当存贮状态发生改变时,敏感区域发生改变,但敏感区基本呈对称结构.SRAM重离子微束实验方法的建立为今后更好的开展此项工作奠定了良好基础.
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