【摘 要】
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(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3 (NBT-KBT-100x) thin films were deposited on LaNiO3/SiO2/Si(100) at 700 ℃ annealing temperature by metal-organic decomposition,and the effects of potassium content on the phase st
【机 构】
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School of Material and Phoelectronic Physics,Xiangtan University,Xiangtan 411105,China
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(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3 (NBT-KBT-100x) thin films were deposited on LaNiO3/SiO2/Si(100) at 700 ℃ annealing temperature by metal-organic decomposition,and the effects of potassium content on the phase structure,dielectric,piezoelectric and mechanical properties of the NBT-KBT-100x (x=0.15,0.18,0.20,0.25) thin films were investigated in detail.NBT-KBT-15 thin film is of the best crystallinity and the largest statistic effective piezoelectric coefficient (95 prm/V) and dielectric constant er (332.5).
其他文献
实验上,对生长在立方基底的PZT52/48薄膜进行了微结构和铁电性能表征.理论上,通过非线性热力学理论建立外加力场下的单晶单畴模型,得到外加应力-失配应变相图以及固定失配应变下的外加应力-极化分量曲线.结果表明,理论模拟与实验现象符合较好.
In our study we established an analytical method to shed light on the relationship between the IBNF and the bond-energy change,as well as the relation with band offset in layered nanostructures from t
Silicon nanostructures have been employed as the anodes of lithium-ion batteries to mitigate mechanical and chemical degradation.Conditions for averting fracture have been identified in terms of the S
推导出考虑表面效应的压电结构的二维简化理论.在电场开路和闭路两种情况下,考虑压电板的纯拉伸模式,分析了压电板的Miller-Shenoy系数和自由振动的固有频率以及在外电场作用下的受迫振动.计算结果表明:在纳米尺度下,表面效应对结构的宏观力学属性有重要影响.
从界面与位错的相互作用着手,研究纳米结构材料增强机理,建立细观尺度下的界面剪切力学模型.建立模型来模拟上述过程.模型中的两个方程分别对应于:(1)界面剪切强度条件,即要求界面上任一点的应力要小于界面强度;(2)界面位错平衡条件,即要求界面位错保持静平衡.结合分子模拟的结果,采用双端位错堆积模型来引入界面位错,即连续剪切模型.在此基础上发展了另外两种模型,分别为简化连续剪切模型和单位错剪切模型.
根据Young-Laplace方程,考虑了由于表面残余应力的存在而产生的横向均布载荷.同时也考虑了微纳米尺度下薄板的弯曲刚度的修正表达式,建立了考虑表面效应的纳米级厚度薄板的弹性微分方程.展示了表面效应对于板变形的影响.为研制微型传感器,微机电系统等提供了一定的参考资料.
通过设计具有较大面积分数的微结构表面,使其具有较大的静态接触角,提升微结构自身的稳定性.这为制造具有较好疏水特性且具有更好自身稳定性的人工微结构表面提供了一条新的途径.
采用均匀化法对粗糙表面所表现出来的宏观力学特性和热传导特性做了全面的分析,并将之等效成一层附着于固体表面具有梯度性质且各向异性的特殊材料膜.从物理的角度解释了此等效材料薄膜在热冲击载荷作用的过程中所起到的盾牌效应,从而保护固体内部基体材料,增强了结构体的抗热冲击性能.还描述了在热冲击波穿越等效材料薄膜过程中发生的能量耗散现象,这是普通材料膜所没有的.
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根据滑动起始对应界面位错形核观点,研究黏着接触中切向载荷下的位错形核问题.利用Rice关于裂纹尖端位错发射的模型,可得到黏着接触中位错形核所需临界切向载荷,并以此作为局部滑动起始判据.此外还探讨位错形核对黏着接触的影响.