【摘 要】
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通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究，同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比
【机 构】
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北京大学物理学院宽禁带半导体中心,北京 100871
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究，同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较。发现两者虽然同为含In体系，但是在InAlN材料中并未表现出与InGaN相似的In组分明显的空间不均匀性。进一步地对温度-组分相图的研究表明，该组分InAIN合金处于亚稳相区域，即其向稳态的变化过程中存在一个能量的势垒.据实验现象推论，由于Al-N、In-N共价键长相差较大，使得该势垒高度较InGaN高，最终导致In0.17Al0.83N合金维持在亚稳相，这和InGaN合金中向稳态变化，从而表现为相分离的结果是截然不同的.该结果对于与GaN晶格匹配的In0.17Al0.83N材料的应用方向可能会产生深远影响。
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