中空的石墨烯基碳包覆纳米硅复合材料的制备及电化学性能研究

来源 :第31届全国化学与物理电源学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zfx249220414

【摘要】

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　　以纳米硅(Si)、正硅酸乙酯(TEOS)和液态聚丙烯腈(LPAN)为原料,通过"牺牲"模板和碳热法制备中空的石墨烯基碳包覆纳米硅(G-void-Si)复合材料.200 mA·g-1的电流密度下,G-v

【作者】

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许舒贤李子昂米宏伟李芳

【机构】

：

深圳市功能高分子重点实验室,深圳大学化学与环境工程学院,深圳,518060

【出处】

：

第31届全国化学与物理电源学术年会

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

中空石墨烯基碳包覆纳米硅硅复合材料法制备电化学

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　　以纳米硅(Si)、正硅酸乙酯(TEOS)和液态聚丙烯腈(LPAN)为原料,通过"牺牲"模板和碳热法制备中空的石墨烯基碳包覆纳米硅(G-void-Si)复合材料.200 mA·g-1的电流密度下,G-void-Si复合材料的首次脱锂比容量和库伦效率分别为2245.5 mAh·g-1和73.8％,200次循环后,复合材料的脱锂比容量为1161.3 mAh·g-1.

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