【摘 要】
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采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实验表明辐照样品中存在着大量的单空位缺陷以
【机 构】
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河北工业大学材料学院,天津,300130中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039
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采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实验表明辐照样品中存在着大量的单空位缺陷以及少量的双空位、四空位缺陷,随着退火温度的升高,单空位型缺陷(VO)消失.PAT结果显示,在200～450℃退火时,单空位型缺陷急剧减少.由FTIR吸收谱可以看到,随着829cm-1(VO)吸收峰的消失出现824cm-1(V2O2)、834cm-1(V3O2)、888cm-1(VO2)和840cm-1(V2O)四个吸收峰.另外,在919.6cm-1处也有缺陷复合体的吸收峰出现.多普勒展宽谱也说明450℃退火时缺陷开始明显减少,800℃退火时,缺陷浓度最低.
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