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石墨烯作为一种二维结构晶体材料自发现以来无论在众多领域均引起了广泛的关注。石墨烯由于在空气中吸附氧等常表现出p-型特征[1]，因此要改变石墨烯的电学性能需在其蜂巢状结构中掺杂N等杂原子。目前CVD法制备氮掺杂石墨烯的制备需在高温下进行，所得氮掺杂石墨烯为多晶结构，缺陷较多！
低温条件下制备氮掺杂单晶石墨烯阵列
【摘 要】
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石墨烯作为一种二维结构晶体材料自发现以来无论在众多领域均引起了广泛的关注。石墨烯由于在空气中吸附氧等常表现出p-型特征[1]，因此要改变石墨烯的电学性能需在其蜂巢
【机 构】
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中国科学院化学研究所,北京市海淀区中关村北一街2号,100190
【出 处】
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第一届物理化学研究生前沿论坛
【发表日期】
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2013年5期
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