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本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V.与普通结构的双极晶体管特性相比较,TBD结构双极晶体管显示出了该结构的优越性.
4H-SiC TBS结构双极晶体管特性模拟
【摘 要】
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本文中,利用二维器件仿真软件Medici建立4H-SiC双极晶体管模型,并在此基础上,对4H-SiC TBS结构双极晶体管进行了模拟研究,结果显示共射极最大电流增益为47,击穿电压大于1000V
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安,710071
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2006年期
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