The Photoluminescent Properties of CdSe QDs Prepared by one-pot Process

来源 :第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ypf0856
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  After several decades, rare earth doped semiconductor quantum dots(QDs) still remain the focus of the scientific community.Dopants can strongly influence optical behavior, provide carriers, and so on.The studies relied on core/shell QDs demonstrated that band offsets between the two materials results in the electron preferring the shell while the hole prefers the core, which leads to faster radiative lifetimes and a smaller spectral shift between absorption and emission.
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本文基于第一性原理密度泛函理论,对有限长的ZnO纤锌矿结构的纳米碟的进行计算。选择了三种不同的钝化形式,分别是只钝化表面O原子,或者表面Zn原子,以及所有表面原子都进行钝化,发现仅当所有表面有悬键的原子钝化的情况下,能量和结构均是稳定的。针对不同直径不同厚度的结构分别进行了优化,并且计算了它们的频谱,这些结构不存在虚频,是结构稳定存在的。分析不同尺寸的HOMO(最高占据原子轨道)-LUMO(最低未
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半导体材料纳米结构在制作多种光电器件如发光二极管和激光器等方面有广泛的应用前景.但是纳米材料由于表面-体积比很高,光学性质会受到表面态的强烈影响,会导发光效率低等问题.对纳米材料进行表面处理、发光机理研究十分必要.可以采用复合结构对纳米材料进行表面修饰,此方法对材料发光性质有着显著的影响.在本文中,采用水热法制备了ZnO纳米棒,并在ZnO纳米棒上继续使用水热法二次生长制备了CdS纳米颗粒对其进行表
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Schottky junction solar cells were fabricated on single CdS nanowires (NW)/nanobelts (NBs).Au (100 nm) and In/Au (10/100 nm) were used for the Schottky and ohmic contacts to CdS NW/NB.The solar cell e
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为了提高器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的电致发光,在本论文中我们研究了以MoO3和ZnS为缓冲层的器件ITO/缓冲层/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的发光特性.在器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al中,在直流电场下,我们观察到了ZnO纳米棒在380nm的近紫外电致发光.通过研究纳米棒的生长时间、晶种退火温度以及有机层厚度对器件发光性能的影响,总
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单壁碳纳米管是纳米科技研究的重要中心之一。正在进行的大部分研究努力都是为了理解它们的光学性质。由于金属碳纳米管不发光,因此碳纳米管的发光研究仍然集中于单根的半导体碳纳米管。由于半导体碳纳米管的荧光量子效率非常低,就阻碍了它们在光电子领域的应用。碳纳米管束往往是碳纳米管的天然存在形式,由于大家都普遍地认为半导体碳纳米管束不会发光,碳纳米管束并不是大家所看好的光电子材料。我们对纳米管束的吸收光谱和发射
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人们对掺杂半导体纳米晶的发光性质及其在发光显示器、传感器等方向上的应用进行了广泛研究[1]。由于利用传统的掺杂方法在水相合成Mn掺杂CdS纳米晶[2],无法准确控制Mn离子在纳米晶中的位置和浓度,所获得的纳米晶的发光效率低。直到2005年,彭笑刚研究小组首次报道了利用成核掺杂方法合了稳定性好、发光效率达50%以上的ZnSe:Mn量子点[3],因此人们期待着利用这种新方法通过控制Mn离子的位置来合成
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我们采用聚硅氮烷前驱体在1250℃ FeCl2催化作用下热裂解生长氮化硅纳米带,X-ray衍射图谱,HRTEM衍射斑表明氮化硅纳米带是型单晶氮化硅,SEM显示纳米带厚度20-40nm,宽度400-1000nm.在77k-300k温度范围测试氮化硅纳米带的变温光致发光强度和电子顺磁共振谱.氮化硅纳米带的光致发光谱观测到3个发射峰,中心能量分别在1.84eV,2.08eV和2.97eV.1.84eV附
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本文研究了PVK/Alq3 (poly (N-vinylcarbazole)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum八羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑)纳米混合纤维的静电纺丝方法的制备和其光致发光性质,发现混合纤维中Alq3的荧光发射明显增强,而PVK的发射峰渐趋消失,通过对纯PVK纳米纤维和不同掺杂比例混合纳米纤维的荧光发射光谱和荧光寿命进行分析,我们认为在混合纤维中PVK和
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目前在医学、生物以及工业测试中得到广泛应用的数字X射线成像技术主要通过闪烁材料将X射线转变成可见光并通过电荷耦合器件(CCD)进行探测,然而传统上常用的闪烁晶体随着厚度的增加导致可见光的各向同性展宽并进而降低了成像的空间分辨率。构建薄膜闪烁光纤阵列是目前提高空间分辨的有效方法。本工作以广泛应用的CsI(Tl)晶体为研究对象,通过射频溅射以玻璃光纤为模板,制备具有柱状微结构的闪烁薄膜材料,对其发光及
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