热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

来源 :全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guobin_tj

【摘要】

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利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT、LT、LT，退火后各峰的相对强度变化很

【作者】

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张砚华;范缇文;陈延杰;

【机构】

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中国科学院半导体研究所材料科学实验室(北京)

【出处】

：

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2000年期

【关键词】

：

热退火砷化镓半导体材料缺陷分子束外延

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利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT<,1>、LT<,2>、LT<,3>，退火后各峰的相对强度变化很大，特别I<,LT1>/I<,LT3>=C由退火前的C>>1到退火后C<<1，退火温度越高，C值越小，这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷As Ga及砷间隙A<,si>相关的LT<,1>能级浓度的下降，反之，与镓空位V<,Ga>相关的LT<,3>能级浓度上升。另外经800℃，10min热退火后，在LT<,2>峰处出现了负瞬态，可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸，非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的。

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