【摘 要】
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本研究以电浆激发化学气相沉积(PECVD)法沉积二氧化钛薄膜,利用氬气(100 sccm)输送四异丙基钛酸酯(Ti (OC3H7)4)之蒸气,以氧气(15 sccm)当电浆激发气体产生反应,沉积二氧化钛触媒薄膜於玻璃)基板上,主要改变不同电浆电源功率(200~300 W),以提升光触媒薄膜特性,接著利用高温退火炉进后续退火处理(氧气气氛下退火500度30分鐘),退火完成后利用XRD量测薄膜之结晶性
【机 构】
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大漢光電股份有限公司 台中 437 國立台北科技大學 106
【出 处】
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第十三届全国太阳能光化学与光催化学术会议
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本研究以电浆激发化学气相沉积(PECVD)法沉积二氧化钛薄膜,利用氬气(100 sccm)输送四异丙基钛酸酯(Ti (OC3H7)4)之蒸气,以氧气(15 sccm)当电浆激发气体产生反应,沉积二氧化钛触媒薄膜於玻璃)基板上,主要改变不同电浆电源功率(200~300 W),以提升光触媒薄膜特性,接著利用高温退火炉进后续退火处理(氧气气氛下退火500度30分鐘),退火完成后利用XRD量测薄膜之结晶性,接著利用UVLED模组进行亚甲蓝基液降解实验,并分析不同光催化反应研究其触媒活性。
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