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以钛粉、硅粉和石墨粉为原料，通过无压烧结法制备了Ti3，SiC2-SiC块体复合材料。利用X射线衍射仪对制得的样品进行相分析，并运用扫描电镜分析材料的微观结构，用差热分析仪测定反应温度。结果表明，Ti:Si:C=0.42:0.23:0.35时，可制得纯度较高的Ti3SiC2-SiC复合材料块体，只含有极少量的TiSi2杂质。Ti3SiC2晶粒无特定的生长方向，平均长度在10μm以下，厚度小于5μm。略高的Si含量有利于获得纯度较高的Ti，SiC2-SiC复合材料。