LED衬底材料的未来发展和挑战(β-Ga2O3和α-Al2O3)

来源 :2014中国上海国际半导体照明应用技术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sdfcasdvgase

【摘要】

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半导体照明进入通用照明需要的核心技术:Outlook:How achievable is 150 lm/W,1000-lm LED?我国GaN/LED器件五大技术路线中独缺β-Ga2O3基——一条新技术路线!关于"五大技术

【作者】

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徐军

【机构】

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中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

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2014中国上海国际半导体照明应用技术论坛

【发表日期】

：

2014年7期

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半导体照明进入通用照明需要的核心技术:Outlook:How achievable is 150 lm/W,1000-lm LED?我国GaN/LED器件五大技术路线中独缺β-Ga2O3基——一条新技术路线!关于"五大技术路线"很多优势,但存在的主要问题:1.Si衬底上外延GaN,其晶格失配为17％ 2.Si衬底和GaN之间56％的热膨胀系数差异导致较大的热失配,从而产生微裂.

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