【摘 要】
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用射频溅射法制备了FeZrB、(FeZrB)Cu和(FeZrB)Cu非晶软磁合金薄膜.研究了掺杂不同原子百分比的Cu对FeZrB软磁合金巨磁阻抗(GMI)效应的影响,未掺Cu的FeZrB制备态薄膜几乎无GM
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院(济南)山东大学物理与微电子学院(济南);山东大学晶体材料国家重点实验室(济南)浙江台州学院物理系(浙江临海)
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用射频溅射法制备了Fe<,88>Zr<,7>B<,5>、(Fe<,88>Zr<,7>B<,5>)<,0.97>Cu<,0.03>和(Fe<,88>Zr<,7>B<,5>)<,0.94>Cu<,0.04>非晶软磁合金薄膜.研究了掺杂不同原子百分比的Cu对Fe<,88>Zr<,7>B<,5>软磁合金巨磁阻抗(GMI)效应的影响,未掺Cu的Fe<,88>Zr<,7>B<,5>制备态薄膜几乎无GMI效应,而掺Cu量为3at﹪的溅态薄膜样品获得显著的GMI效应,在13MHz下,最大纵向磁阻抗比为17﹪,表明适量Cu元素的掺杂改善了Fe<,88>Zr<,7>B<,5>材料的软磁特性,因而得到如此大的GMI比.该样品经不同温度退火热处理后GMI比下降,说明(Fe<,88>Zr<,7>B<,5>)<,0.97>Cu<,0.03>薄膜材料在制备过程中形成的横向应力各向异性有利于产生较大的GMI效应.
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