SCALPEL掩模研制的技术难点

来源 :第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qhjxiaofeitian

【摘要】

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电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术是下一代光刻技术的主要候选者,其中掩模研制是其关键技术之

【作者】

：

杨清华叶甜春陈大鹏李兵赵伶俐胥兴才刘明陈宝钦

【机构】

：

中国科学院微电子中心

【出处】

：

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

掩模制作下一代光刻技术投影光刻技术难点关键技术工艺条件散射角分辨率电子束英寸线宽微米

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电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术是下一代光刻技术的主要候选者,其中掩模研制是其关键技术之一;本文解决了该技术掩模制作中的几个技术难点.最后研制出了0.1微米线宽分辨率的3英寸掩模,摸索出一套比较稳定的工艺条件.

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