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本文采用卷对卷MOCVD工艺在镀有IBAD MgO缓冲层结构的Hastelloy合金衬底上制备出了高性能的REBCO薄膜带材.为了进一步改善REBCO薄膜带材的性能,我们对不同条件下生长的薄膜中的稀土氧化物RE2O3沉淀相进行了研究.针对纯YBCO薄膜、Gd0.5Y0.5BCO薄膜、纯GdBCO薄膜,在稀土元素过量掺杂的条件下,通过调整稀土元素的比例,采用XRD系统地分析了(GdxY1-x)2O3沉淀相的变化情况,及其对薄膜C轴取向、表面形貌、临界电流的影响;