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稀释磁性半导体是指少量的磁性离子掺杂到半导体中，它既具备半导体性质，又具有铁磁性，因此稀释磁性半导体被认为是最有希望用来制作自旋电子器件的材料。近年来，稀磁半导体主要集中在用过渡族金属掺杂半导体材料，用稀土元素掺杂的很少。本文拟对稀土元素Tb掺杂(In0.9Sn0.1)2O3薄膜进行研究。
稀磁性半导体(In1-xTbxSn0.1)2O3薄膜的结构和磁性研究
【摘 要】
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稀释磁性半导体是指少量的磁性离子掺杂到半导体中，它既具备半导体性质，又具有铁磁性，因此稀释磁性半导体被认为是最有希望用来制作自旋电子器件的材料。近年来，稀磁半导体主要集
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
【出 处】
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第十七届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2009年8期
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