【摘 要】
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应用直流磁控溅射技术在单晶Al2O3基片上沉积纯钛薄膜,在350℃和500℃条件下应用不同的溅射功率分别沉积了厚度为50 nm和100nm的纯钛薄膜.结果表明:在Al2O3(0001)基片上制备
【机 构】
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西北有色金属研究院,西安710016
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应用直流磁控溅射技术在单晶Al2O3基片上沉积纯钛薄膜,在350℃和500℃条件下应用不同的溅射功率分别沉积了厚度为50 nm和100nm的纯钛薄膜.结果表明:在Al2O3(0001)基片上制备出具有面心立方结构的FCC相纯钛薄膜,当降低溅射功率或者降低基片温度时,薄膜由面心立方结构转变为六方的α相.继续增加膜层厚度至微米量级时,钛膜也会逐渐由面心立方结构转变为六方的α相.实验证明Ti多晶薄膜的相结构变化与薄膜的内应力、晶格取向和薄膜微结构有关.
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