【摘 要】
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以Bi2O3和V2O5为原料，采用高温固相反应合成BiVO4，以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应，考察了焙烧温度对BiVO4的光催化活性的影响。研究发现，经不同温度焙烧9h,Bi2O3与V2O
【机 构】
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广州大学化学化工学院,广东广州510006
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以Bi2O3和V2O5为原料，采用高温固相反应合成BiVO4，以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应，考察了焙烧温度对BiVO4的光催化活性的影响。研究发现，经不同温度焙烧9h,Bi2O3与V2O5均能反应生成BiVO4，其禁带宽度为2.4eV。利用正电子湮没谱(寿命谱)分析了焙烧温度对BiVO4光催化活性的影响，发现经850℃下焙烧的BiVO4催化剂比其它焙烧温度下的催化剂有较多的表面缺陷数目，可产生表面光生电子-空穴的数目和不均匀性增加，缺陷位的电子密度大，使得其光催化氧化活性作用增强。
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