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本文选择Ni/V双层金属结构，研究了引入V对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响。实验结果表明，Ni/V双层金属结构在退火温度高于950℃才能与SiC半导体形成良好的欧姆接触；不同厚度的Ni/V结构电极在1050℃快速退火处理后都能形成良好的欧姆接触，并且比接触电阻率随金属层厚度的变化不大。SiC晶片的硅面和碳面对Ni/V双层金属的接触性质影响较小，Raman和XRD结果表明Ni/V双层金属经950℃退火处理形成了新的物相如Ni2Si，VC等，TEM结果表明退火处理后电极结构发生化学反应而形成明显的分层，即对应不同的物相，物相分析和微观结构分析与TLM测试的电学性能相吻合。当达到一定的退火温度时金属电极与SiC表面和亚表面物质发生化学反应而生成不同的物相和结构。