水平超长碳纳米管具有完美的原子结构、宏观的长度、高度的取向性等优越的性能，因而是微纳机电体系、电学器件以及超强材料等的理想基体材料[1]。为了实现水平超长碳纳米管的应用，其批量化制备至关重要。碳纳米管的数量取决于具有合适尺寸的活性催化剂的数量，然而平整的基底表面的催化剂颗粒在高温反应的条件下容易相互聚并形成大的颗粒而失去活性[2]。因此，我们提出两种提高承载催化剂基底表面的粗糙度，从而提高了所制备的超长碳纳米管阵列的密度的方案。方案一：通过在平整基底表面负载一层二氧化硅纳米小球，钉扎其表面的催化剂，降低催化剂颗粒间高温下的聚并，从而提高了超长碳纳米管阵列的密度[3]。方案二：利用石墨烯薄膜作为催化剂承载基底，其表面的褶皱可钉扎催化剂颗粒，且高温还原后的金属催化剂颗粒会刻蚀石墨烯薄膜，这些过程限制了催化剂的运动从而防止其聚并，从而提高了超长碳纳米管阵列的密度。