切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
LM741的低剂量率增强效应研究
LM741的低剂量率增强效应研究
来源 :第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:duzhiwei1010
【摘 要】
:
通过对单运放LM741进行30rad/s、10rad/s和0.1rad/s四种剂量率的γ辐照试验,研究其敏感参数变化和辐照剂量率的关系。研究结果表明,单运放开环增益随辐照剂量的增加而减小,和
【作 者】
:
牟维兵
徐曦
【机 构】
:
中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
:
第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
低剂量率
增强
辐照剂量率
运放
敏感参数
开环增益
辐照试验
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过对单运放LM741进行30rad/s、10rad/s和0.1rad/s四种剂量率的γ辐照试验,研究其敏感参数变化和辐照剂量率的关系。研究结果表明,单运放开环增益随辐照剂量的增加而减小,和辐照剂量率的变化不大,在0.1rad/s剂量率辐照下的变化最显著。
其他文献
星敏感器用CCD抗辐射加固技术研究
本文针对我国目前星敏感器的发展状况,对星敏感器用CCD器件的抗辐射特性进行研究,利用Coγ射线对SONY公司ICX285AL芯片进行辐照试验,完成星敏感器用CCD器件的初步摸底试验,为
会议
星敏感器
辐照试验
器件
辐射特性
发展状况
γ射线
芯片
加固
基础
中子、γ混合场中电子器件承受辐射剂量的计算与测量
本文利用蒙特卡罗方法计算了系统自身辐射源引起的其电子器件承受的γ剂量率、中子注量率,计算了系统内外空间的γ照射量、中子注量,并利用LiF、LiF热释光剂量计的"成对"使用
会议
高性能电源芯片瞬时辐射效应初探
对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。
会议
高性能
电源芯片
效应机理
加固措施
辐射试验
应用
生产
基础
不同偏置、不同剂量率下双极晶体管的电离辐射损伤
本文研究了NPN型锗硅异质结晶体管TH3356A、NPN型硅双极晶体管2SC3356、3DG120在不同偏置、不同剂量率下的电离辐射损伤.研究表明,TH3356A和3DG120在低剂量率辐照后,电流增益
会议
偏置
低剂量率
硅双极晶体管
电离
锗硅异质结晶体管
电流增益
辐照相
增强效应
辐射损伤
反偏
赵庆泉盆景作品赏析(上)
小桥流水人家水旱盆景的立意常见有三种情形:一是根据诗词意境去选材、造型;二是借鉴绘画表现形式,寻找适合的材料,创作“立体的画”;三是根据既有材料的特点去构思命名。前
期刊
水旱盆景
小桥流水人家
盆景
立体画
瓜子黄杨
赵庆
龟纹
马致远
作品赏析
唐人
“石油帝国”
美国“纽约邮报”自4月29日到5月9日分十次发表了该报记者罗伯特·斯皮瓦克和欧文·李伯曼所写的题为“石油帝国”的文章。这些文章的观点虽然是反动的,但是说明了一个事实:
期刊
帝国
艾森豪威尔
李伯曼
斯皮瓦克
杜勒斯
美孚油
石油公司
垄断资本
罗伯特
美国石油
典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究
对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。
会议
计算机
组件
不同脉宽
瞬时辐射
单片机
效应差异
损伤机理
加固设计
技术支持
辐射效应
辐射环境
程控系统
抗辐射
阈值
应用
规律
电离
闭锁
垂枝桦的组培快繁
以垂枝桦(Betula pendula Roth.)具节茎段为外植体,对其组培快繁体系进行了比较系统的研究。结果表明,将垂枝桦茎段外植体在MS+6-BA 0.5 mg/L+KT 1.25 mg/L+NAA 0.1 mg/L+3%S
期刊
Betula pendula Roth.
Tissue culture
Rapid propagation
CMOS集成电路抗单粒子加固技术
本文阐述了单粒子效应的分类,给出了一种CMOS集成电路的单粒子加固设计技术,试验方法、测试程序、及其试验结果。试验表明该电路的抗单粒子LET>58.3MeV/mg/cm.
会议
抗单粒子加固
单粒子效应
CMOS
集成电路
NVSRAM与FLASHROM存储器抗γ瞬时辐射性能研究
本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10GY(Si)/s剂量
会议
存储器
γ瞬时辐射
辐照剂量率
单片机系统
数据错误
辐照实验
辐射性能
丢失数据
抗辐射
种类
指标
选择
试验
与本文相关的学术论文