【摘 要】
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应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)BaSrTiO-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5﹪时,其介电常数为380,损耗因了为0.013,电容变化率为17.5﹪,电阻率为1.0×10Ω·cm.
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院(湖北武汉)
【出 处】
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2003年第十届全国电介质物理与功能材料学术会议
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应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba<,0.6>Sr<,0.4>TiO<,3>-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5﹪时,其介电常数为380,损耗因了为0.013,电容变化率为17.5﹪,电阻率为1.0×10<12>Ω·cm.
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