【摘 要】
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本文报道了一种采用纳米厚度(～10 nm)的镍硅化合物/p型多晶硅复合薄膜为阳极的有机磷光发光二极管,器件结构是：Al反射镜/玻璃衬底/Si隔离层/镍硅化合物/p型多晶硅/V2O5/NPB/CBP：(ppy)2Ir(acac)/Bphen/Bphen：Cs2CO3/Sm/Au/BCP.复合薄膜阳极中的镍诱导晶化p型多晶硅向V2O5/NPB中注入空穴,而镍硅化合物层降低了复合薄膜阳极的方块电阻,从而
【机 构】
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北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 中国计量科学研究院,北京1
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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本文报道了一种采用纳米厚度(～10 nm)的镍硅化合物/p型多晶硅复合薄膜为阳极的有机磷光发光二极管,器件结构是：Al反射镜/玻璃衬底/Si隔离层/镍硅化合物/p型多晶硅/V2O5/NPB/CBP：(ppy)2Ir(acac)/Bphen/Bphen：Cs2CO3/Sm/Au/BCP.复合薄膜阳极中的镍诱导晶化p型多晶硅向V2O5/NPB中注入空穴,而镍硅化合物层降低了复合薄膜阳极的方块电阻,从而降低了发光二极管的串联电阻和提高了二极管的发光效率.本文着重优化了复合薄膜阳极中初始镍层厚度,发现在初始硅层厚度为10nm的条件下,对应于二极管最高发光效率的镍层厚度为2 nm.经过此优化的发光二极管的最高电流效率和功率效率分别达到1.0×102 cd/A和60 lm/W,相应的最高外量子效率和能量转换效率分别为26％和11％；据我们所知, 其中最高电流效率和最高外量子效率是目前国际上已报道的硅基电致发光的最高值.
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