【摘 要】
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目前,以硅基光子学为基础的硅基光电集成技术已取得迅猛发展,但其关键问题——硅基光源材料与器件一依然没有得到有效解决.这是由于Si和Ge都是间接带隙材料,需要在声子的作用
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083
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目前,以硅基光子学为基础的硅基光电集成技术已取得迅猛发展,但其关键问题——硅基光源材料与器件一依然没有得到有效解决.这是由于Si和Ge都是间接带隙材料,需要在声子的作用下才能实现电子空穴对的复合,其复合效率很低,大大限制了其在半导体发光领域上的应用.但是Ge材料的直接带Γ点导带底与间接带L点导带底在室温下相差仅136 meV,理论和实验研究均表明通过对其引入一定的Sn组分(Ge1-xSnx中x=0.08～0.11时),可将其转变为直接带,有利于发光的实现.同时GeSn合金与硅基CMOS工艺完全兼容,因此已成为硅基光源材料的研究热点.
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