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化学气相沉积方法(CVD)已经被证明可以大面积制备高质量石墨烯[1]。但是CVD生长的石墨烯通常为多晶样品，这严重影响了石墨烯优异的电学和力学性能。因此生长大单晶石墨烯成为石墨烯CVD研究的热点[2]。在生长大单晶石墨烯时，通常需要十分少的碳源供给以降低石墨烯的成核密度，这会大大降低生长速度[3]。