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ESD保护电路中MOSFET器件的建模与仿真
ESD保护电路中MOSFET器件的建模与仿真
来源 :中国物理学会第十三届静电学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:firefly_xk
【摘 要】
:
本文描述了在ESD条件下MOSFET中寄生双极晶体管的工作原理,讨论了雪崩击穿过程,对nMOS和pMOS晶体管进行了电路级仿真.
【作 者】
:
李海燕
张灵振
王庆国
【机 构】
:
邮电职业技术学院培训部,河北,石家庄,050011军械工程学院基础部,河北,石家庄,050003军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003
【出 处】
:
中国物理学会第十三届静电学术年会
【发表日期】
:
2006年10期
【关键词】
:
ESD
保护电路
仿真
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本文描述了在ESD条件下MOSFET中寄生双极晶体管的工作原理,讨论了雪崩击穿过程,对nMOS和pMOS晶体管进行了电路级仿真.
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