一种碲化镉薄膜湿化学腐蚀方法的研究

来源 :第九届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yysky99
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在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于CdTe太阳电池的工业化生产.本文采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积了铜背接触层材料,制备了CdTe太阳电池.XRD测试结果表明在膜面生成了富碲层,SEM的结果说明硝酸-冰乙酸腐蚀为各向同性刻蚀.对背接触层材料进行退火处理,获得了转化效率9.688﹪的CdTe太阳电池.
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Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池由于具有高的光电转换效率、低的制造成本以及稳定的光电性能而成为国际光伏界研究的热点.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂网电极为辅助电极的三电极体系,利用恒电位电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,深入研究了络合剂柠檬酸浓度对所制备Cu(In,Ga)Se2薄膜的组分、晶相结构、表面形貌和
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本文首次采用四氢喹啉为供电子母体、氰基乙酸为吸电子基团和吸附基团,并引入不同的噻吩桥链得到4个电子推拉型的纯有机染料敏化剂.在100mW/cm2的光强下,以染料3为敏化剂的太阳能电池的最大光电转化效率为3.84﹪,相同条件下,N3染料为敏化剂的太阳能电池的光电转化效率为6.40﹪.通过研究发现,引入噻吩乙烯或者噻吩桥链可以显著的改变染料的光吸收特性和电子传输特性.当引入多个噻吩乙烯或者噻吩结构后,
本文制作的是平面结聚光硅太阳电池,它的应用光强为十个太阳.采用的是0.5~1Ω·cm的p型〈100〉电池片.因为此聚光电池是用在特殊场合,考虑到栅线的横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响,所以设计了特殊的栅线结构.选用的硅片尺寸为25cm×98cm.主栅长97.5mm、宽2mm,栅线间距是0.06mm.细栅长22.6mm,间距是0.5mm.通过改变激光机的频率、电流以及速度,利用
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