用光胶做挡光层的紫外光刻掩膜及用于在聚碳酸酯芯片表面制备金属微电极

来源 :中国化学会第九届分析化学年会暨全国原子光谱学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yyp0000

【摘要】

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紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200-285 nm的紫外光区几乎不透光.本文研制了一种以AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜.应用该掩膜对聚碳酸酯(

【作者】

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孔泳;陈恒武;云晓;郝振霞;方肇伦;

【机构】

：

浙江大学,化学系,微分析系统研究所,浙江,杭州,310028

【出处】

：

中国化学会第九届分析化学年会暨全国原子光谱学术会议

【发表日期】

：

2006年期

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紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200-285 nm的紫外光区几乎不透光.本文研制了一种以AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜.应用该掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极.

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