一个临界双滑移取向铜单晶体的疲劳位错结构

来源 :第十五届全国疲劳与断裂学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wanxueguan55
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关于金属材料循环变形行为和变形后微观位错结构方面有结论性意义的结果大多是从面心立方(fcc)结构晶体上获得的。近年来,各种单、双和多滑移取向铜单晶体的循环应力—应变(CSS)曲线已被很好地建立起来[5],对不同滑移取向铜单晶体的微观位错结构也有了一定的认识,但对某些双滑移取向晶体仍缺乏系统研究。本工作利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术和透射电镜(TEM)对疲劳后的临界双滑移取向铜单晶体的微观位错结构进行研究,并对疲劳诱导产生的形变带中的微观位错结构进行观察。
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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