GaN HEMT 具有电子迁移率高、耐高温高压和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。针对耗尽型GaN HEMT 器件的负电压关断特性，结合其应用于开关变换器
与传统Si-IGBT 相比,SiC-MOSFET 具有更高开关速度和更高结温,有利于减小PMSM 电机驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。先针对1kW 永磁同步电机,分别对SiC-M
本文提出了一种新型的混合储能拓扑，使用蓄电池和超级电容作为储能元件。该拓扑具有模块化多电平储能拓扑的优点，但其成本相对较低。此外，针对SOC 均衡问题，本文提出了一种基
电力电子技术的基础是功率半导体器件。传统硅基功率半导体器件(如IGBT、功率MOSFET 等)的发展已接近其物理极限，而新一代宽禁带半导体器件(特别是碳化硅功率器件)的优异
在钢铁基材上电镀防护型沉积层是防止钢铁腐蚀的一种重要措施。锌作为较活泼且价格低廉的金属,在传统钢铁防腐保护的应用中占很大的比例。金属镍具有硬度高、低氢脆性、高耐
本文以无工频牵引变压器电力牵引传动系统为应用背景，对其中的全桥隔离DC/DC变换器开展研究。首先，本文分析了全桥隔离DC/DC变换器的拓扑结构，引入了开关函数，并建立其数学模
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集成式母线型EMI 滤波器兼具传统反射式滤波器的“反射”功能和吸收式滤波器的“耗散”功能，能够对电力电子系统中的传导电磁干扰进行有效抑制；采用载流能力较强的铜条作为
本文以全桥隔离DC/DC 变换器为研究对象，以减少变换器硬件系统和控制系统的设计成本为目标，开展了相移控制方法的研究。首先，为减小变换器峰值电流，减少磁性元件设计成本，给出