【摘 要】
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本文通过对980nm半导体激光器后腔面高反膜电场强度的理论计算,阐述了后腔面电场强度优化设计对提高薄膜损伤阈值的重要性.同时对常规膜系GaAs/M(HL)^4H/Air进行模拟,并
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022
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本文通过对980nm半导体激光器后腔面高反膜电场强度的理论计算,阐述了后腔面电场强度优化设计对提高薄膜损伤阈值的重要性.同时对常规膜系GaAs/M(HL)^4H/Air进行模拟,并分析其电场分布.由于各种材料抗损伤阈值都不同,一般高折射率材料的吸收系数比低折射率材料高1～2个数量级.通过膜系厚度优化设计来减少吸收系数大(高折射率材料)的膜层电场分布,这样可以达到提高膜系损伤阈值的目的.因此采用如下膜系结构GaAs/0.57M+0.8H+ 1.43L+0.78H+ 1.47L+(HL)^2H,通过电场强度分布可以看出高折射率材料膜系内电场强度大大降低,在达到反射率要求的同时有效的提高了薄膜的抗损伤能力.
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