【摘 要】
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由于AlN具有禁带宽度大,热导率高,击穿电压高,与AlxGa1-xN合金材料晶格常数及热膨胀系数接近等特点,使得AlN成为AlxGa1-N基紫外光电子器件及高功率、高频电子器件最理想的衬
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
由于AlN具有禁带宽度大,热导率高,击穿电压高,与AlxGa1-xN合金材料晶格常数及热膨胀系数接近等特点,使得AlN成为AlxGa1-N基紫外光电子器件及高功率、高频电子器件最理想的衬底材料.AlN体材料的主要生长方法是物理气相沉积(PVT)和氢化物气相外延(HVPE).相比于PVT技术,HVPE生长AlN的单晶具有杂质浓度低、光学性质好的特点,适合用于做为AlxGa1-xN基紫外发光及光电子器件的衬底材料.HVPE生长AlN虽然取得了一定进展,但是仍面临一系列问题,其中之一就是形貌控制.本论文系统的分析了影响AlN形貌的主要因素,以及这些因素的竞争关系,并给出了获得有原子台阶平滑表面的AlN的生长条件.
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