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基于多孔硅荧光猝灭的成像技术

来源 :中国化学会第十二届全国分析化学年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：voyager4032

【作 者】

：

陈锡胜 邬建敏 

【机 构】

：

浙江大学化学系,微分析系统研究所,杭州,310058

【出 处】

：

中国化学会第十二届全国分析化学年会

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

多孔硅 荧光猝灭 

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