【摘 要】
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理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点.并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性.认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院 成都 610054
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点.并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性.认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型能更好的解释实验数据并适用于界面结构特性和电子特性等的仿真计算.本研究对改进Si/SiO2原子结构模型、研究界面缺陷,以及在原子尺度上分析界面缺陷对器件特性影响有着重要的意义.
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