【摘 要】
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氮化镓(GaN)是一种重要的第三代宽带隙半导体材料,在蓝光LED、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件等方面具有广泛的应用前景。但是由于异质外延存在的晶格失配,导致
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氮化镓(GaN)是一种重要的第三代宽带隙半导体材料,在蓝光LED、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件等方面具有广泛的应用前景。但是由于异质外延存在的晶格失配,导致生长的GaN晶体中存在着较多的缺陷,极大地影响了这类器件的性能。本研究根据石墨烯和氮化硼等二维材料特有的高温稳定性、突出的机械柔韧性等特点,将其作为插入层直接涂覆于衬底表面来生长GaN晶体,GaN只在没有二维材料的区域成核,然后侧向外延合并生长。石墨烯和氮化硼等二维材料阻断了外延衬底中缺陷的延伸,显著提高了GaN的晶体质量。利用生长出的GaN晶体制备的LED芯片光功率也得到了明显提高,该方法对于拓展二维材料在晶体生长领域方面的应用具有重要意义。
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