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本文提出了一种与P阱CMOS工艺相兼容的无低阈值器件的带隙电压基准源(BGR)。采用Vthn0≈1.3VCMOS工艺，HSPICE从-40℃到120℃仿真，温度系数为3.7PPM/℃。
一种具有0.2V输出的CMOS带隙电压基准源
【摘 要】
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本文提出了一种与P阱CMOS工艺相兼容的无低阈值器件的带隙电压基准源(BGR)。采用Vthn0≈1.3VCMOS工艺，HSPICE从-40℃到120℃仿真，温度系数为3.7PPM/℃。
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年期
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