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用分子动力学计算模拟了单晶铜中纳米孔洞(直径约1.3nm)在动态拉伸过程中的演化及其周围区域发生塑性变形的过程,模拟显示在沿<111>晶向冲击加载后,在fcc(面心)结构中4 族{111}晶面中有3 族发生了滑移,在所激活的三个{111}晶面上,观察到位错在孔洞表面附近区域成核,然后在各自的滑移面上向外滑移,伴随着这一过程,微孔洞开始长大.通过测量孔洞周围发射的位错速度,结果表明位错速度与剪切应力的关系可以较好地用声子粘性模型描述.在同一冲击强度下,孔洞半径生长速率近似保持恒定;而在不同冲击强度下,孔洞半径的生长速率随着冲击强度的增加而增大.