【摘 要】
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着重研究了工作温度范围为20～77 K的低温热敏电阻器的生产工艺参数.利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得
【机 构】
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中国科学院,新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011
【出 处】
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第十届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
着重研究了工作温度范围为20～77 K的低温热敏电阻器的生产工艺参数.利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料,同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响.在材料粉体合成中,采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Peehini法等不同方法制备,讨论了不同方法的基本原理与特点,并对一些具体制备方法进行了比较.
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