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过去十年,由于三维GaN纳(微)米柱的优异性质及在纳米光子学和光电子学中的潜在应用,GaN纳米柱的研究引起了广泛的兴趣.对比传统的二维层状GaN结构,三维纳(微)米结构具有很多优点.首先,由于横向的小尺寸效应,生长纳米柱中的线位错密度会大大降低,直至零位错状态.
三维GaN纳(微)米径向(radial)结构LED的研究进展与展望
【摘 要】
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过去十年,由于三维GaN纳(微)米柱的优异性质及在纳米光子学和光电子学中的潜在应用,GaN纳米柱的研究引起了广泛的兴趣.对比传统的二维层状GaN结构,三维纳(微)米结构具有很多优点.首先,由于横向的小尺寸效应,生长纳米柱中的线位错密度会大大降低,直至零位错状态.
【机 构】
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北京大学东莞光电研究院,523808,松山湖,东莞 北京大学介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
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