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为了降低Si衬底GaN基LED的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二极管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
新型通孔硅衬底GaN基LED结构的电流扩展分析
【摘 要】
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为了降低Si衬底GaN基LED的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二极管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
【机 构】
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中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州市新港西路135号,510275 中山大学半导体照明系统研究中心,广州市大学城外环东路132号中山大学微纳楼,510006
【出 处】
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第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)
【发表日期】
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2009年3期
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